臺(tái)積電近日公布了2026年第一季度財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)，合并營(yíng)收達(dá)1.134萬(wàn)億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)35.1%，凈利潤(rùn)5725億元新臺(tái)幣，增幅達(dá)58.3%。以美元計(jì)算，當(dāng)季營(yíng)收為359億美元，同比增長(zhǎng)40.6%，毛利率攀升至66.2%，較去年同期提高7.4個(gè)百分點(diǎn)。這一成績(jī)標(biāo)志著臺(tái)積電凈利潤(rùn)增速連續(xù)八個(gè)季度保持兩位數(shù)增長(zhǎng)，AI及高性能計(jì)算需求成為主要推動(dòng)力。

從技術(shù)節(jié)點(diǎn)來(lái)看，3nm、5nm、7nm制程收入占比分別為25%、36%和13%，先進(jìn)制程整體貢獻(xiàn)了74%的營(yíng)收。按應(yīng)用平臺(tái)劃分，高性能計(jì)算收入占比達(dá)61%，智能手機(jī)占比26%，物聯(lián)網(wǎng)和汽車平臺(tái)分別占6%和4%。盡管智能手機(jī)平臺(tái)收入同比下滑11%，但高性能計(jì)算領(lǐng)域同比增長(zhǎng)20%，成為業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的核心引擎。

在業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上，臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家透露，公司正在推進(jìn)全球產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃，重點(diǎn)布局3nm制程。臺(tái)南工廠將于2027年上半年實(shí)現(xiàn)3nm量產(chǎn)，美國(guó)亞利桑那州工廠預(yù)計(jì)同年下半年投產(chǎn)，日本第二座工廠的3nm工藝則計(jì)劃在2028年啟動(dòng)。針對(duì)更先進(jìn)的2nm技術(shù)，臺(tái)積電預(yù)計(jì)從今年下半年開(kāi)始相關(guān)研發(fā)生產(chǎn)將稀釋毛利率2%-3%，但全年業(yè)績(jī)?nèi)杂型３衷鲩L(zhǎng)。

面對(duì)AI驅(qū)動(dòng)的強(qiáng)勁需求，臺(tái)積電上調(diào)了資本支出預(yù)期。原計(jì)劃2026年資本支出為540億至560億美元，現(xiàn)預(yù)計(jì)實(shí)際投入將接近上限。魏哲家解釋稱，高性能計(jì)算和AI領(lǐng)域的需求遠(yuǎn)超預(yù)期，設(shè)備供應(yīng)持續(xù)緊張，新建晶圓廠需2-3年周期，因此需加快投資節(jié)奏。數(shù)據(jù)顯示，過(guò)去三年臺(tái)積電資本支出累計(jì)達(dá)1100億美元，今年投入預(yù)計(jì)超過(guò)過(guò)去三年總和的50%，未來(lái)三年支出規(guī)模將顯著擴(kuò)大。

競(jìng)爭(zhēng)格局方面，特斯拉與SpaceX聯(lián)合宣布在美國(guó)得克薩斯州建設(shè)2納米晶圓廠Terafab，英特爾隨后加入該項(xiàng)目。對(duì)此魏哲家表示，英特爾既是客戶也是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，但新建工廠需2-3年建設(shè)期和1-2年產(chǎn)能爬坡期，臺(tái)積電對(duì)自身技術(shù)地位充滿信心。針對(duì)三星代工英偉達(dá)LPU芯片的競(jìng)爭(zhēng)，臺(tái)積電管理層僅回應(yīng)將爭(zhēng)取所有潛在業(yè)務(wù)機(jī)會(huì)。

市場(chǎng)環(huán)境方面，魏哲家指出消費(fèi)電子終端需求疲軟，尤其是PC和智能手機(jī)市場(chǎng)，但高端機(jī)型表現(xiàn)穩(wěn)健。原材料方面，受中東局勢(shì)影響，部分化學(xué)品和氣體價(jià)格可能上漲，雖暫無(wú)法量化具體影響，但公司已通過(guò)多元化供應(yīng)鏈、增加安全庫(kù)存等措施應(yīng)對(duì)風(fēng)險(xiǎn)。能源供應(yīng)方面，近期情況預(yù)計(jì)不會(huì)對(duì)運(yùn)營(yíng)造成干擾。