根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的存儲器市場價格調(diào)查報告，2026年第二季度全球存儲芯片市場將迎來顯著價格波動。其中，DRAM領(lǐng)域因主要供應(yīng)商加速產(chǎn)能結(jié)構(gòu)調(diào)整，將資源向高帶寬內(nèi)存（HBM）和服務(wù)器級產(chǎn)品傾斜，同時通過差異化定價策略縮小產(chǎn)品線價差，推動整體價格上行。盡管終端消費(fèi)電子需求存在放緩風(fēng)險，但標(biāo)準(zhǔn)型DRAM（Conventional DRAM）合約價格仍預(yù)計環(huán)比增長58%至63%，創(chuàng)下近年單季最大漲幅。

NAND Flash市場則延續(xù)AI算力需求驅(qū)動的增長態(tài)勢。數(shù)據(jù)中心建設(shè)加速與生成式AI應(yīng)用普及，帶動全產(chǎn)品線呈現(xiàn)連鎖漲價效應(yīng)。報告指出，第二季度NAND Flash整體合約價格漲幅將達(dá)70%至75%，其中企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）和高端存儲卡類產(chǎn)品漲幅最為顯著。值得關(guān)注的是，部分供應(yīng)商已開始調(diào)整產(chǎn)能分配，優(yōu)先保障AI服務(wù)器等高毛利訂單，進(jìn)一步加劇了消費(fèi)級產(chǎn)品的供應(yīng)緊張局面。

行業(yè)分析認(rèn)為，本輪存儲芯片漲價潮具有明顯的結(jié)構(gòu)性特征。DRAM市場受HBM技術(shù)迭代影響，傳統(tǒng)產(chǎn)品產(chǎn)能持續(xù)收縮，而NAND Flash則因AI數(shù)據(jù)存儲需求爆發(fā)形成持續(xù)支撐。兩大市場雖同處漲價周期，但驅(qū)動邏輯存在差異：DRAM價格更多反映供給側(cè)改革成效，NAND Flash漲幅則直接對應(yīng)需求側(cè)爆發(fā)式增長。這種分化態(tài)勢預(yù)計將持續(xù)至2026年下半年，直到新增產(chǎn)能逐步釋放。