ASML公司首席執行官傅恪禮近日透露，基于新一代高數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻技術的芯片產品即將進入量產階段。這項突破性技術將同時應用于邏輯芯片和存儲芯片兩大領域，首批產品預計在未來幾個月內面世。作為2納米以下先進制程的核心設備，High-NA EUV光刻機通過提升光學系統分辨率，使芯片特征尺寸縮小幅度達到66%，相當于將相機對焦精度提升至全新水平。

與傳統EUV設備相比，新一代光刻機在成本控制方面展現出顯著優勢。傅恪禮強調，雖然單臺設備初期投入高昂，但隨著技術成熟和規模化應用，單位芯片的光刻成本將逐步降低。這種設計理念特別契合AI芯片、高帶寬內存（HBM）和動態隨機存取存儲器（DRAM）等高端產品的制造需求，為突破先進制程的物理極限提供了關鍵技術支撐。

全球半導體巨頭對這項新技術的態度呈現分化態勢。臺積電數周前公開表示，單臺High-NA EUV光刻機造價高達4億美元，約為現有設備的兩倍價格，目前尚不具備大規模采購條件。與之形成對比的是，英特爾已在美國波特蘭工廠完成兩臺設備的安裝調試，累計處理晶圓超過3萬片，并計劃在2027至2028年實現14A制程的量產目標。

存儲芯片領域同樣表現出積極態度。韓國SK海力士明確宣布將于今年首次導入High-NA EUV技術，用于下一代DRAM內存的生產。這項技術突破不僅體現在分辨率提升上，其光學系統的革新使芯片制造精度達到前所未有的水平，為摩爾定律的延續開辟了新路徑。據技術資料顯示，新設備通過優化數值孔徑設計，在保持高良率的同時實現了制程節點的跨越式發展。

行業分析師指出，High-NA EUV技術的商業化進程將深刻影響全球半導體競爭格局。雖然初期設備成本高企，但其在先進制程領域的不可替代性正促使頭部企業加速技術布局。隨著英特爾、SK海力士等廠商陸續完成技術導入，預計2025年后將迎來新一代芯片產品的集中爆發期，這場由光刻技術革新引發的產業變革正在重塑半導體行業的未來圖景。