上交所近日發(fā)布公告，其上市審核委員會(huì)將于5月27日舉行2026年第27次審議會(huì)議，審議對(duì)象為長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司的首發(fā)申請(qǐng)。這一消息標(biāo)志著長(zhǎng)鑫科技正式進(jìn)入資本市場(chǎng)沖刺階段。

根據(jù)招股書披露，長(zhǎng)鑫科技制定了極具野心的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)目標(biāo)。公司預(yù)計(jì)2026年上半年將實(shí)現(xiàn)1100億至1200億元的營(yíng)業(yè)收入，同比增幅達(dá)612.53%至677.31%；凈利潤(rùn)預(yù)計(jì)在500億至570億元區(qū)間，同比增長(zhǎng)2244.03%至2544.19%。這一數(shù)據(jù)若能實(shí)現(xiàn)，將刷新半導(dǎo)體行業(yè)盈利紀(jì)錄。

此次IPO計(jì)劃募集資金295億元，資金將集中投向三大領(lǐng)域：存儲(chǔ)器晶圓制造量產(chǎn)線技術(shù)升級(jí)改造、DRAM存儲(chǔ)器技術(shù)迭代研發(fā)，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器前瞻技術(shù)研究。這些項(xiàng)目覆蓋了從現(xiàn)有產(chǎn)能優(yōu)化到前沿技術(shù)突破的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，凸顯公司強(qiáng)化技術(shù)壁壘的戰(zhàn)略意圖。

作為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，長(zhǎng)鑫科技的技術(shù)路線圖顯示，其DRAM產(chǎn)品已突破10納米級(jí)制程工藝，正在向更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)。此次募資項(xiàng)目的實(shí)施，預(yù)計(jì)將使公司產(chǎn)能提升30%以上，同時(shí)降低單位生產(chǎn)成本約25%，形成顯著的規(guī)模效應(yīng)與技術(shù)優(yōu)勢(shì)疊加效應(yīng)。