群聯(lián)電子首席執(zhí)行官潘健成近日公開表示，受人工智能（AI）技術(shù)爆發(fā)式增長影響，NAND Flash存儲芯片市場正經(jīng)歷前所未有的結(jié)構(gòu)性需求激增。當(dāng)前公司產(chǎn)能僅能覆蓋客戶訂單量的30%，剩余七成需求缺口短期內(nèi)難以填補，這種供需失衡直接推高了存儲芯片市場價格。

潘健成特別指出，本輪存儲市場繁榮與過往消費電子周期存在本質(zhì)差異。AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)規(guī)模擴(kuò)張及智能應(yīng)用落地，催生出對高容量、高性能存儲方案的持續(xù)需求，這種結(jié)構(gòu)性增長特征使得市場呈現(xiàn)出"量價齊升"的獨特態(tài)勢。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，NAND芯片價格較去年同期上漲超過45%，DRAM供應(yīng)緊張更成為制約AI發(fā)展的關(guān)鍵因素。

在技術(shù)驅(qū)動層面，AI訓(xùn)練產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量正以指數(shù)級增長，企業(yè)客戶對存儲系統(tǒng)的容量密度和讀寫性能提出更高要求。潘健成強(qiáng)調(diào)，內(nèi)存已成為AI基礎(chǔ)設(shè)施的核心組件，"沒有足夠內(nèi)存支撐，再先進(jìn)的算法模型也無法發(fā)揮效能"。這種技術(shù)依賴性使得存儲芯片在AI產(chǎn)業(yè)鏈中的戰(zhàn)略地位顯著提升。

從產(chǎn)業(yè)格局觀察，三星、SK海力士等頭部廠商雖已啟動擴(kuò)產(chǎn)計劃，但受制于晶圓廠建設(shè)周期和設(shè)備交付延遲，新增產(chǎn)能預(yù)計要到2025年才能逐步釋放。潘健成分析認(rèn)為，這種供應(yīng)端滯后將使存儲芯片價格在中長期維持高位運行，為具備技術(shù)優(yōu)勢的存儲控制器廠商創(chuàng)造持續(xù)盈利空間。