近期，全球頭部存儲芯片廠商在資本市場上展開了一場激烈的市值較量。繼三星電子市值突破萬億美元后，美光科技與SK海力士也相繼邁入這一量級。5月26日美股收盤時，美光科技股價大漲19.29%，創下歷史新高，市值首次突破萬億美元；次日，SK海力士股價盤中一度上漲11%，同樣躋身萬億美元俱樂部。至此，全球三大DRAM存儲原廠全部進入"萬億市值時代"。

這輪市值飆升的背后，是AI技術爆發帶來的存儲需求激增。作為AI訓練核心硬件的高帶寬內存（HBM），其市場主要由上述三家廠商主導。其中SK海力士目前占據最大市場份額，但美光科技正以驚人速度追趕。據TrendForce集邦咨詢數據，2024年SK海力士在HBM生產位元占比達59%，美光和三星各占20%；但預計2025年SK海力士份額將降至50%，美光則提升至28%。

美光的追趕策略頗具成效。該公司跳過HBM3直接投入HBM3e研發，并成功進入英偉達供應鏈。在HBM產能布局上，美光顯得更為激進——其HBM占內存總產能的比例達26%，高于三星的23%和SK海力士的18%。今年3月的英偉達GTC大會上，美光宣布為Vera Rubin架構設計的HBM4 36GB 12-high產品開始批量出貨，與三星幾乎同步進入量產階段。

盡管在HBM領域表現亮眼，美光在整體存儲市場仍與競爭對手存在差距。閃存市場數據顯示，2024年第四季度DRAM營收中，三星以37.1%市占率領跑，SK海力士占33.1%，美光僅占20.8%；NAND閃存市場差距更大，同期美光市占率僅11.6%，遠落后于前兩名。不過財務數據顯示，美光正快速縮小差距——截至2月26日的季度，其營收同比增長196%至238.6億美元，凈利潤同比激增數倍至137.9億美元。

當前三大廠商都面臨行業供應緊張帶來的機遇與挑戰。隨著AI算力需求持續攀升，HBM4進入商業化周期，存儲芯片缺貨現象預計將持續至2027年。美光計劃在2026年實現DRAM和NAND供應量增長與行業同步（均超20%），但其能否在保持HBM優勢的同時提升整體市場份額，仍需觀察HBM4生產爬坡進度和良率表現。公司高管在財報會上透露，HBM4達到成熟良率的速度將快于前代產品，這或許是其追趕的關鍵籌碼。