英特爾首席執行官陳立武在JP摩根技術會議上宣布，公司正全力推進新一代芯片制造技術的研發進程，已啟動“10A”和“7A”工藝的預研工作。這兩項技術預計于2030年代進入市場，旨在推動芯片設計向更微型化方向發展。陳立武強調，半導體行業頭部客戶更關注企業的長期技術布局，而非單一產品性能，因此英特爾選擇提前布局數年后才能實現商業化的工藝節點。
當前英特爾的研發重心仍聚焦于即將面世的14A工藝。據陳立武透露，該工藝的開發進度符合預期，早期版本的工藝設計套件（PDK）已向客戶開放，更成熟的版本將于10月交付外部合作伙伴。盡管英特爾未披露具體客戶名稱，但已有多家企業表達合作意向。按照規劃，14A工藝將于2028年啟動風險試產，2029年實現大規模量產，這一時間表與主要競爭對手臺積電的同類技術推出計劃基本同步。
14A工藝的顯著特征是首次在工業規模上采用ASML的高數值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻系統。陳立武指出，引入這項新技術面臨多重挑戰，除光刻機本身外，還需配套開發新型光掩模、材料及測量方法。英特爾正與ASML等合作伙伴緊密協作，確保技術按期達到量產標準。ASML首席執行官此前透露，首批采用High-NA EUV技術制造的測試芯片將在未來幾個月內完成。
與臺積電的技術路徑形成對比的是，英特爾在14A工藝中引入了芯片背面供電技術。這項創新尤其適用于高性能數據中心處理器，通過優化電源傳輸路徑可顯著提升能效比。陳立武表示，背面供電技術的集成需要重新設計芯片架構，但將為未來數據中心計算提供關鍵性能支撐。
