存儲芯片行業(yè)正迎來一場激烈的市值角逐。近期，三星電子（005930.KS）率先突破萬億美元市值大關(guān)后，美光科技（MU.O）與SK海力士（000660.KS）也相繼加入這一行列。5月26日美股收盤時，美光科技股價暴漲19.29%，創(chuàng)下歷史新高，市值首次站上萬億美元；次日SK海力士盤中股價漲幅達11%，同樣邁入萬億美元俱樂部。至此，全球三大DRAM存儲原廠全部進入“萬億市值時代”。

資本市場對這三家企業(yè)的追捧，與人工智能（AI）技術(shù)爆發(fā)帶來的存儲需求激增密切相關(guān)。作為AI訓練的核心硬件，高帶寬內(nèi)存（HBM）成為行業(yè)焦點，而全球HBM市場幾乎被這三家企業(yè)壟斷。其中，SK海力士目前占據(jù)最大市場份額，但美光科技正以驚人速度追趕。據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)，2024年SK海力士在HBM市場的生產(chǎn)位元占比為59%，美光與三星則分別以20%并列第二；但到2025年，SK海力士的份額預(yù)計降至50%，美光將提升至28%，三星維持在20%左右。HBM整體市場規(guī)模預(yù)計在2025年突破300億Gb。

美光科技的追趕策略頗具針對性。該公司直接跳過HBM3技術(shù)迭代，集中資源攻關(guān)HBM3e，并成功打入英偉達供應(yīng)鏈。數(shù)據(jù)顯示，2024年美光HBM產(chǎn)能占其內(nèi)存總產(chǎn)能的26%，高于三星的23%和SK海力士的18%。2025年3月的英偉達GTC大會上，美光宣布為新一代AI芯片Vera Rubin設(shè)計的HBM4 36GB 12-high產(chǎn)品開始批量出貨；三星則同步宣布其第六代HBM4進入量產(chǎn)階段。三家企業(yè)同時成為英偉達HBM4供應(yīng)商，標志著行業(yè)競爭進入新階段。

盡管在HBM領(lǐng)域表現(xiàn)亮眼，美光在整體存儲市場的地位仍與競爭對手存在差距。閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2024年第四季度DRAM市場中，三星以37.1%的份額領(lǐng)跑，SK海力士占33.1%，美光僅占20.8%；NAND閃存市場差距更為明顯，三星與SK海力士分列前兩位，美光以11.6%的份額位居第五。不過，美光的財務(wù)表現(xiàn)正在改善——在截至2025年2月26日的季度中，公司營收同比增長196%至238.6億美元，凈利潤達137.9億美元，創(chuàng)歷史新高。

面對行業(yè)供需緊張的局面，三大存儲原廠均在加速產(chǎn)能擴張。業(yè)界分析認為，按照當前建設(shè)進度，全球存儲芯片供應(yīng)緊張態(tài)勢將持續(xù)至2027年。美光科技在最新財報中透露，公司計劃2026年將DRAM和NAND閃存的供應(yīng)量增長幅度維持在行業(yè)平均水平（約20%），同時重點推進HBM4生產(chǎn)爬坡。公司高管表示，HBM4的良率提升速度將快于前代產(chǎn)品，這將成為其搶占市場份額的關(guān)鍵。