據(jù)行業(yè)消息，英偉達(dá)對(duì)其人工智能芯片Rubin Ultra的架構(gòu)設(shè)計(jì)作出重大調(diào)整，決定放棄原本計(jì)劃的4-Die激進(jìn)方案，轉(zhuǎn)而采用技術(shù)更為成熟的2-Die架構(gòu)。這一變動(dòng)預(yù)計(jì)將使該芯片于2027年正式進(jìn)入市場(chǎng)。

在芯片制造領(lǐng)域，Die（通常被稱(chēng)為裸片、裸晶或晶粒）指的是從圓形硅晶圓上通過(guò)精密切割工藝分離出來(lái)的、包含完整集成電路功能的小型方塊。英偉達(dá)此次調(diào)整架構(gòu)方案，主要源于先進(jìn)封裝技術(shù)面臨的物理極限挑戰(zhàn)。若強(qiáng)行采用4-Die架構(gòu)，芯片封裝尺寸將大幅增加，面積可能達(dá)到光罩極限的8倍左右。

更大的封裝尺寸不僅會(huì)影響制造良率，還會(huì)顯著推高生產(chǎn)成本。因此，回歸2-Die架構(gòu)成為英偉達(dá)在制造成本與量產(chǎn)效率之間尋求平衡的更優(yōu)選擇。

在制造工藝方面，Rubin Ultra將采用臺(tái)積電的N3P工藝節(jié)點(diǎn)，并結(jié)合CoWoS-L先進(jìn)封裝技術(shù)。盡管架構(gòu)方案有所調(diào)整，但英偉達(dá)并未削減對(duì)臺(tái)積電的晶圓代工訂單。相反，公司正在微調(diào)投片策略，將更多產(chǎn)能向當(dāng)前的Blackwell架構(gòu)傾斜。

此前有報(bào)道指出，臺(tái)積電3納米工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能需求持續(xù)旺盛，人工智能核心芯片對(duì)先進(jìn)制程的消耗量正在快速攀升。數(shù)據(jù)顯示，明年人工智能芯片在3納米產(chǎn)能中的占比僅為5%，但到后年，這一比例預(yù)計(jì)將大幅躍升至36%。