群聯(lián)電子首席執(zhí)行官潘健成近日公開(kāi)表示，當(dāng)前全球NAND Flash存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)正經(jīng)歷前所未有的結(jié)構(gòu)性供需失衡。據(jù)其透露，公司現(xiàn)有產(chǎn)能僅能滿足客戶三成需求，剩余七成訂單缺口短期內(nèi)難以填補(bǔ)。這一現(xiàn)象直接推動(dòng)存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)攀升，形成新一輪產(chǎn)業(yè)景氣周期。

與過(guò)往消費(fèi)電子主導(dǎo)的周期性波動(dòng)不同，本輪存儲(chǔ)市場(chǎng)繁榮具有顯著特征。潘健成分析指出，人工智能技術(shù)的爆發(fā)式發(fā)展催生了海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，特別是AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)與算法迭代對(duì)高容量存儲(chǔ)芯片的依賴度急劇提升。這種結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)變使得傳統(tǒng)消費(fèi)電子市場(chǎng)的周期性影響顯著弱化，形成獨(dú)立于終端市場(chǎng)的產(chǎn)業(yè)邏輯。

在技術(shù)層面，AI訓(xùn)練對(duì)存儲(chǔ)性能提出嚴(yán)苛要求。企業(yè)級(jí)客戶不僅需要更大容量的存儲(chǔ)解決方案，更要求芯片具備高速讀寫能力以支撐實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理。這種雙重需求直接推高NAND Flash產(chǎn)品單價(jià)，同時(shí)導(dǎo)致DRAM內(nèi)存成為制約系統(tǒng)性能的關(guān)鍵瓶頸。潘健成特別強(qiáng)調(diào)，內(nèi)存容量已成為衡量AI系統(tǒng)先進(jìn)性的核心指標(biāo)之一。

從產(chǎn)業(yè)格局觀察，三星、SK海力士等頭部廠商的擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度明顯滯后于需求增長(zhǎng)。潘健成透露，主要供應(yīng)商受制于晶圓廠建設(shè)周期與設(shè)備交付延遲，短期內(nèi)難以實(shí)質(zhì)性增加有效供給。這種供需錯(cuò)配將持續(xù)支撐存儲(chǔ)芯片價(jià)格維持高位，為具備技術(shù)優(yōu)勢(shì)的存儲(chǔ)控制芯片廠商創(chuàng)造歷史性機(jī)遇。

市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2024年第一季度企業(yè)級(jí)SSD價(jià)格同比上漲超過(guò)40%，而DRAM內(nèi)存模組價(jià)格漲幅更達(dá)65%。行業(yè)分析師指出，這種量?jī)r(jià)齊升的態(tài)勢(shì)可能延續(xù)至2025年，直到新增產(chǎn)能逐步釋放。值得關(guān)注的是，AI服務(wù)器專用存儲(chǔ)芯片的毛利率已突破50%，顯著高于傳統(tǒng)消費(fèi)電子應(yīng)用領(lǐng)域。