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露笑科技合肥露笑再傳佳音:12英寸碳化硅單晶樣品制備成功!

   時(shí)間:2026-02-23 06:15 來(lái)源:快訊作者:趙靜

近日,露笑科技旗下合肥露笑半導(dǎo)體材料有限公司在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域接連取得重大突破,引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。作為國(guó)內(nèi)碳化硅材料研發(fā)的先鋒企業(yè),合肥露笑不僅在8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底技術(shù)上實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵性進(jìn)展,更成功制備出12英寸半絕緣型碳化硅單晶樣品,標(biāo)志著我國(guó)在大尺寸碳化硅材料制備領(lǐng)域邁入全球領(lǐng)先行列。

碳化硅材料作為第三代半導(dǎo)體的核心基礎(chǔ),根據(jù)導(dǎo)電性能差異可分為導(dǎo)電型和半絕緣型兩大類。其中,導(dǎo)電型碳化硅主要用于新能源汽車、光伏逆變器等功率器件領(lǐng)域,而半絕緣型碳化硅則是5G通信、雷達(dá)等射頻器件的關(guān)鍵材料。合肥露笑此次突破的12英寸半絕緣型碳化硅單晶,不僅填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在該尺寸領(lǐng)域的空白,更通過(guò)全流程工藝驗(yàn)證,為后續(xù)規(guī)模化生產(chǎn)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

據(jù)技術(shù)團(tuán)隊(duì)介紹,12英寸碳化硅單晶的制備面臨晶體生長(zhǎng)速率控制、缺陷密度降低等多重技術(shù)挑戰(zhàn)。合肥露笑通過(guò)自主研發(fā)的長(zhǎng)晶設(shè)備與工藝優(yōu)化,成功解決了大尺寸晶體生長(zhǎng)中的應(yīng)力分布問(wèn)題,使單晶樣品的質(zhì)量達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。與此同時(shí),公司同步完成的襯底加工全流程測(cè)試,驗(yàn)證了從晶體生長(zhǎng)到襯底拋光的完整技術(shù)路線可行性。

在8英寸導(dǎo)電型碳化硅領(lǐng)域,合肥露笑此前已實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破,目前正在推進(jìn)量產(chǎn)線建設(shè)。此次新增的12英寸半絕緣型產(chǎn)線規(guī)劃,將與現(xiàn)有8英寸導(dǎo)電型產(chǎn)線形成協(xié)同效應(yīng),構(gòu)建覆蓋全應(yīng)用場(chǎng)景的產(chǎn)品矩陣。公司負(fù)責(zé)人表示,新產(chǎn)線將采用智能化制造系統(tǒng),通過(guò)數(shù)字化控制提升生產(chǎn)效率與產(chǎn)品一致性,滿足下游客戶對(duì)高性能碳化硅材料的迫切需求。

隨著新能源汽車、光伏發(fā)電等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,碳化硅材料市場(chǎng)需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,2023年全球碳化硅襯底市場(chǎng)規(guī)模已突破10億美元,預(yù)計(jì)到2027年將增長(zhǎng)至50億美元以上。合肥露笑此次的技術(shù)突破與產(chǎn)能布局,不僅有助于提升我國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的自主可控能力,更為全球碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)提供了重要支撐。

 
 
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