阿斯麥（ASML）首席執行官克里斯托夫·富凱近日在比利時安特衛普的一場科技活動上透露，他與特斯拉及SpaceX創始人埃隆·馬斯克就TeraFab半導體項目進行了直接對話。富凱表示，馬斯克對打造全球規模最大的芯片制造基地之一表現出高度認真態度。這一項目于今年3月由馬斯克正式宣布啟動，首期投資高達200億美元，選址美國得克薩斯州，旨在整合邏輯芯片、存儲芯片生產與先進封裝業務。

英特爾已確認參與該項目，計劃投入其14A制程工藝技術。SpaceX向當地監管部門提交的申請顯示，該公司擬在得州格蘭姆斯縣建設一座耗資550億美元的半導體工廠，項目后續擴建總成本可能攀升至1190億美元。富凱雖未披露與馬斯克談話的具體細節，但強調此類大型項目將在未來數年內持續擠壓半導體設備供應商的產能。

作為全球唯一能夠提供極紫外（EUV）光刻機的企業，阿斯麥的設備是生產高端芯片的核心工具。任何新進入高端芯片制造領域的企業，包括TeraFab，均需投入數十億美元采購其設備。目前，臺積電、三星、SK海力士、美光和英特爾等全球主要芯片制造商均已向阿斯麥下單。富凱預測，搭載高數值孔徑極紫外（High NA EUV）光刻機的首批邏輯芯片將在數月內量產。英特爾已于去年年底在俄勒岡州D1X工廠完成該設備的安裝與驗收測試，其0.55數值孔徑鏡頭可使單次曝光的晶體管密度達到現有設備的2.9倍。

在業務拓展方面，富凱證實阿斯麥正在研發第二款先進封裝設備，標志著公司正式將業務范圍從光刻領域向外延伸。盡管封裝業務仍處于起步階段，但他認為這一賽道將為阿斯麥開辟新的增長空間。目前，全球主流芯片廠商正通過先進封裝技術提升芯片性能，而阿斯麥的入局可能加劇該領域的競爭。

針對美國議員上月提出的《MATCH法案》，富凱公開表示反對。該法案擬禁止阿斯麥向中國客戶出售深紫外（DUV）光刻機，并停止提供售后維保服務。富凱指出，阿斯麥目前對華出口的浸沒式深紫外光刻機采用2015年技術，與當前頂尖水平相差八代。他警告稱，加碼出口限制將促使中國加速自主研發替代設備，并以“生存問題”作比：“如果把人丟進沙漠并切斷所有食物供應，那人多久能自己種出菜園？”