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馬斯克得州建芯片制造中心:整合全流程,目標(biāo)年產(chǎn)1太瓦算力2納米芯片

   時(shí)間:2026-03-23 18:26 來(lái)源:快訊作者:王婷

特斯拉、太空探索技術(shù)公司以及xAI近日聯(lián)合宣布,將在美國(guó)得克薩斯州奧斯汀市打造一座全新的芯片制造中心。這一合作項(xiàng)目旨在為機(jī)器人和太空數(shù)據(jù)中心等前沿領(lǐng)域提供高性能芯片支持。

據(jù)相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹,該制造中心將覆蓋芯片制造的全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié),從芯片設(shè)計(jì)、光刻工藝到封裝測(cè)試等步驟均將實(shí)現(xiàn)自主完成。項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)兩座晶圓廠,其中一座專注于生產(chǎn)汽車(chē)和機(jī)器人所需的芯片,另一座則面向太空數(shù)據(jù)中心開(kāi)發(fā)專用芯片。當(dāng)前技術(shù)目標(biāo)鎖定在量產(chǎn)2納米工藝芯片,這一制程將顯著提升芯片性能和能效。

項(xiàng)目發(fā)起方指出,當(dāng)前全球芯片制造能力已難以滿足未來(lái)科技發(fā)展的需求。據(jù)統(tǒng)計(jì),美國(guó)現(xiàn)有芯片算力年產(chǎn)量約為0.5太瓦,而新制造中心設(shè)計(jì)產(chǎn)能將達(dá)到每年1太瓦,相當(dāng)于將現(xiàn)有產(chǎn)能提升一倍。負(fù)責(zé)人特別提到,三星、臺(tái)積電等傳統(tǒng)制造商的擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度無(wú)法滿足機(jī)器人和太空項(xiàng)目對(duì)芯片的爆發(fā)式需求,全球現(xiàn)有產(chǎn)能僅能覆蓋未來(lái)需求的2%左右。若不自建生產(chǎn)設(shè)施,相關(guān)項(xiàng)目將面臨芯片供應(yīng)中斷的風(fēng)險(xiǎn)。

目前項(xiàng)目方尚未公布具體投資規(guī)模和建設(shè)時(shí)間表。作為行業(yè)參照,臺(tái)積電在美國(guó)的芯片項(xiàng)目已累計(jì)規(guī)劃投資1650億美元,計(jì)劃建設(shè)6座晶圓廠,其2納米工藝芯片的量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)在2029年前后。新制造中心的技術(shù)路線和產(chǎn)能規(guī)劃,或?qū)?duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局產(chǎn)生重要影響。

 
 
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