在芯片制造設備領域，光刻機無疑占據著舉足輕重的地位，其重要性無可匹敵，同時也是中國面臨的最大技術瓶頸。
全球光刻機市場僅由四家廠商主導，其中ASML更是壟斷了高端市場，尤其是EUV和浸潤式DUV光刻機，幾乎完全由ASML說了算。
光刻機的技術不斷演進，并與芯片制造工藝緊密相連。從最初的G線到如今的EUV，光刻機已經歷了六代的變革。
每一代光刻機都對應著不同的芯片制造工藝，例如EUV光刻機被用于7nm以下的芯片制造，而浸潤式DUV則能達到7nm的工藝水平。
那么，國產光刻機目前達到了什么水平呢？上海微電子曾公開過一臺分辨率為90nm的ArF光刻機，采用193nm波長的光源，屬于干式DUV光刻機。
近期，又有一臺國產光刻機亮相，其分辨率為65nm，套刻精度為8nm，同樣是一臺ArF干式DUV光刻機。
盡管國產光刻機仍落后ASML十多年，但已接近浸潤式DUV光刻機的門檻。ArF光刻機最高能支持到65nm工藝，而這臺國產光刻機的分辨率正是65nm，已接近其技術極限。
浸潤式DUV與干式DUV的主要區別在于，浸潤式DUV在晶圓前加了一層介質水，使光線在水中折射，從而提高了分辨率。
因此，國產65nm光刻機已是干式DUV的極限，也是進入浸潤式DUV之前的最后一步。只要攻克浸潤式系統，國產光刻機就能邁入浸潤式階段。
一旦國產光刻機進入浸潤式階段，將有望實現7nm芯片的全部自給，大大降低對外依賴。屆時，無論是ASML還是美國，想要遏制中國芯片產業的發展都將變得更加困難。
因為浸潤式光刻機若發揮到極致，不僅可用于7nm芯片制造，甚至5nm也有可能實現。
