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1納米“記憶開關(guān)”誕生!中國團隊突破讓低功耗芯片照進現(xiàn)實

   發(fā)布時間:2026-02-16 20:00 作者:顧青青

未來,智能手機實現(xiàn)數(shù)周超長待機、物聯(lián)網(wǎng)傳感器電池續(xù)航數(shù)年、可穿戴設(shè)備告別頻繁充電,這些曾被視為科幻場景的愿景,正隨著一項顛覆性技術(shù)突破加速成為現(xiàn)實。北京大學(xué)電子學(xué)院科研團隊近日宣布,成功研制出全球首款“納米柵超低功耗鐵電晶體管”,這項被國際學(xué)術(shù)界評價為“四兩撥千斤”的創(chuàng)新成果,為解決芯片能耗難題開辟了全新路徑。

傳統(tǒng)芯片架構(gòu)中,存儲與計算模塊的物理分離導(dǎo)致數(shù)據(jù)頻繁搬運,如同廚師烹飪時需反復(fù)往返倉庫取調(diào)料,既浪費時間又消耗能量。研究團隊負責(zé)人邱晨光研究員指出,鐵電晶體管雖具備“存算一體”特性——既能存儲數(shù)據(jù)又可進行計算,且斷電后信息不丟失,但其高操作電壓導(dǎo)致的巨大功耗始終制約著實際應(yīng)用。此次突破的關(guān)鍵在于,團隊將晶體管核心部件柵極尺寸壓縮至1納米級別。

這個尺寸相當(dāng)于將頭發(fā)絲直徑(約8萬至10萬納米)縮小十萬倍。在原子級精度的操控下,科研人員構(gòu)建出極細的“電場探針”,使通電時電場能量如水流匯聚針尖般高度集中。實驗數(shù)據(jù)顯示,僅需施加0.6伏微小電壓即可精準(zhǔn)操控晶體管開關(guān),較主流芯片0.7伏工作電壓降低14%,開關(guān)能耗較國際最優(yōu)水平下降一個數(shù)量級,電壓效率突破鐵電材料理論極限達125%。

“這相當(dāng)于用繡花針撬動巨石。”邱晨光形象比喻道。通過重構(gòu)晶體管物理結(jié)構(gòu),團隊成功破解了傳統(tǒng)鐵電器件“高能耗”與“高性能”不可兼得的矛盾。該成果已發(fā)表于國際權(quán)威期刊《科學(xué)·進展》,審稿人評價其“重新定義了低功耗電子器件的可能性邊界”。

這項技術(shù)對產(chǎn)業(yè)界的潛在影響正在顯現(xiàn)。團隊首席科學(xué)家彭練矛教授透露,采用該晶體管的芯片可使移動終端、自動駕駛系統(tǒng)、云端服務(wù)器等設(shè)備在極低功耗下完成海量計算任務(wù)。特別對于能耗巨大的AI大模型訓(xùn)練而言,這種“尺寸越小越省電”的特性,為突破算力提升的能耗瓶頸提供了關(guān)鍵解決方案。目前,研究團隊正與多家半導(dǎo)體企業(yè)推進技術(shù)轉(zhuǎn)化,預(yù)計3-5年內(nèi)實現(xiàn)商用落地。

 
 
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