摩根大通最新研究報告指出，全球頭部存儲芯片制造商的總市值已逼近萬億美元大關(guān)，而基于行業(yè)估值模型推算，到2027年這一數(shù)字有望突破1.5萬億美元，意味著頭部企業(yè)仍存在顯著增長空間。該機(jī)構(gòu)強(qiáng)調(diào)，當(dāng)前存儲行業(yè)正經(jīng)歷前所未有的上升周期，其持續(xù)時間與強(qiáng)度均將創(chuàng)歷史紀(jì)錄。

針對市場普遍擔(dān)憂的2027年DRAM產(chǎn)能過剩問題，摩根大通通過構(gòu)建產(chǎn)能-位元分析模型提出反駁。數(shù)據(jù)顯示，盡管2027年供需缺口可能從2026年的5%收窄至3%，但整體市場仍將維持短缺狀態(tài)。特別值得注意的是，HBM（高帶寬內(nèi)存）對DRAM產(chǎn)能的擠占效應(yīng)顯著，其占比將從2025年的19%躍升至2027年的28%。受限于潔凈室空間和工藝復(fù)雜度提升，即便三星P4、海力士M15X等新產(chǎn)線投產(chǎn)，DRAM位元出貨量年增長率仍將被壓制在20%以下。

市場定價機(jī)制呈現(xiàn)明顯分化特征。企業(yè)級（B2B）市場受AI推理需求驅(qū)動，價格保持強(qiáng)勁態(tài)勢；消費級（B2C）市場則因終端客戶價格敏感度提升，面臨周期性調(diào)整壓力。摩根大通預(yù)測，2026年下半年至2027年上半年將出現(xiàn)顯著價格分化：B2B領(lǐng)域在AI推理需求支撐下價格堅挺，而B2C領(lǐng)域可能因需求疲軟出現(xiàn)價格回調(diào)。具體數(shù)據(jù)顯示，2026財年DRAM平均售價（ASP）預(yù)計上漲53%，NAND ASP上漲30%；2027財年DRAM ASP仍將微漲1%，NAND ASP則可能回落6%。

AI技術(shù)發(fā)展正為存儲行業(yè)創(chuàng)造結(jié)構(gòu)性機(jī)遇。HBM領(lǐng)域受益于GPU與ASIC的路線競爭，需求持續(xù)旺盛。Google下一代2nm TPU計劃采用HBM4，配合Rubin Pro GPU帶來的4倍容量增長，將進(jìn)一步加劇供應(yīng)鏈緊張。摩根大通預(yù)計HBM供需缺口將貫穿2027年，短缺幅度達(dá)8%-12%，甚至可能延續(xù)至2028年。在企業(yè)級SSD（eSSD）市場，AI服務(wù)器對存儲容量的需求是傳統(tǒng)服務(wù)器的3倍，而HDD廠商2026年資本開支謹(jǐn)慎，推動eSSD需求激增，預(yù)計帶動2026財年NAND價格上漲27%。

盡管主要存儲廠商紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)計劃，但摩根大通認(rèn)為實際位元供應(yīng)增長將受到物理遷移挑戰(zhàn)的制約。設(shè)備支出方面，2026/2027年DRAM晶圓廠設(shè)備（WFE）投資將分別增長19%和26%，顯著快于整體資本開支增速。值得關(guān)注的是，DRAM資本密集度將維持在30%以下，NAND低于20%，均低于過去五年平均水平，顯示供應(yīng)端保持理性擴(kuò)張態(tài)勢。這種可控的資本支出強(qiáng)度，有助于維持市場供需平衡，避免過度競爭導(dǎo)致的價格崩塌。