據(jù)海外媒體消息，存儲芯片市場正經(jīng)歷一場供應(yīng)緊張與價格攀升的雙重挑戰(zhàn)。這一態(tài)勢自去年下半年便已顯現(xiàn)，且至今未見緩和跡象。其中，DRAM與NAND閃存的價格在1月份均實現(xiàn)了顯著上漲，成為市場關(guān)注的焦點(diǎn)。

英特爾首席執(zhí)行官陳立武在思科AI峰會上對這一現(xiàn)象發(fā)表了看法。他指出，存儲芯片供應(yīng)緊張的局面預(yù)計將持續(xù)至2028年之前，短期內(nèi)難以得到根本性緩解。陳立武分析認(rèn)為，這一困境的根源在于AI基礎(chǔ)設(shè)施的迅猛擴(kuò)張，導(dǎo)致對存儲芯片的需求急劇增加，遠(yuǎn)超當(dāng)前市場的供應(yīng)能力。

陳立武進(jìn)一步解釋，AI領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展不僅推動了存儲芯片需求的激增，還對傳統(tǒng)電腦和智能手機(jī)市場的供應(yīng)造成了壓力。由于AI應(yīng)用對存儲性能的高要求，大量存儲芯片被用于支持AI運(yùn)算，從而加劇了市場短缺，推動了價格的持續(xù)攀升。

在全球人工智能芯片市場中，英偉達(dá)作為領(lǐng)先供應(yīng)商，其產(chǎn)品的不斷升級也加劇了存儲芯片的供應(yīng)緊張。陳立武在峰會上特別提到，英偉達(dá)即將推出的新Rubin平臺及下一代產(chǎn)品，將進(jìn)一步增加對存儲芯片的需求，給本已受限的供應(yīng)鏈帶來更大的壓力。