三星電子在半導體領(lǐng)域的布局正持續(xù)深化，其代工業(yè)務(wù)與存儲業(yè)務(wù)均迎來重要進展。據(jù)行業(yè)消息，備受關(guān)注的Groq 3 LPU芯片已確定由三星電子代工生產(chǎn)，預(yù)計采用4納米工藝制造。三星半導體業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁韓進萬透露，該芯片量產(chǎn)計劃將于今年第三季度末或第四季度初啟動，市場對其需求預(yù)計在明年進一步攀升。

韓進萬進一步表示，三星與Groq的合作始于2023年英偉達收購該企業(yè)之前，三星工程師不僅深度參與項目，還在LPU芯片設(shè)計階段提供了關(guān)鍵技術(shù)支持。此前，分析師郭明錤曾指出，英偉達對Groq的投資顯著提升了LPU的出貨量預(yù)期，預(yù)計2026至2027年總出貨量將達400萬至500萬顆。

在存儲領(lǐng)域，三星電子同樣動作頻頻。據(jù)Businesskorea報道，三星已啟動第八代高帶寬內(nèi)存（HBM5）的研發(fā)工作，其底層芯片計劃采用2納米工藝制造。對于第九代產(chǎn)品HBM5E，三星計劃在核心芯片上率先應(yīng)用基于1D（第七代10納米級）工藝的DRAM技術(shù)。三星存儲器開發(fā)執(zhí)行副總裁黃相俊強調(diào)，隨著器件性能持續(xù)提升，公司將持續(xù)把最先進工藝應(yīng)用于HBM系列產(chǎn)品。

市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢此前分析指出，隨著AI基礎(chǔ)設(shè)施擴張帶動GPU需求增長，HBM4市場有望在2026年第二季度迎來爆發(fā)。目前，三星、SK海力士和美光三大存儲原廠的HBM4驗證程序已接近尾聲，其中三星憑借產(chǎn)品穩(wěn)定性優(yōu)勢，預(yù)計將率先通過驗證。值得一提的是，三星已搶先將1c DRAM技術(shù)應(yīng)用于HBM4核心芯片，并采用自研4納米工藝制造基礎(chǔ)芯片，上月更成為首家向英偉達供應(yīng)HBM4的企業(yè)。

韓進萬認為，三星HBM4基礎(chǔ)芯片采用4納米工藝制造，預(yù)示著未來市場對4納米工藝的需求將顯著增加。資本市場對三星的系列布局反應(yīng)積極，公司股價今日跳空高開，漲幅一度擴大至6%，本周累計漲幅已超11%，市值突破1370萬億韓元（約合9212億美元）。