據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，三星電子旗下負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案部（DS部門）近期制定了新的戰(zhàn)略目標(biāo)，計(jì)劃將營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率提升至50%以上。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，三星半導(dǎo)體將優(yōu)化產(chǎn)品組合結(jié)構(gòu)，重點(diǎn)聚焦高利潤(rùn)產(chǎn)品，同時(shí)逐步減少或淘汰盈利能力不足的產(chǎn)品線。

具體而言，三星半導(dǎo)體將調(diào)整DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能分配。分析指出，1c nm制程的DRAM前期產(chǎn)能將優(yōu)先用于生產(chǎn)服務(wù)器通用內(nèi)存，而非HBM4高帶寬內(nèi)存。HBM4的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃將暫緩，待良率穩(wěn)定后再逐步推進(jìn)。在NAND閃存領(lǐng)域，三星將加快制程升級(jí)進(jìn)程，通過(guò)技術(shù)迭代提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。晶圓代工業(yè)務(wù)將優(yōu)先保障4nm、5nm、8nm等先進(jìn)制程的產(chǎn)能利用率，以滿足市場(chǎng)需求。

數(shù)據(jù)顯示，三星電子2025年第四季度整體營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為37.27%，雖較此前有所回升，但仍與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士58.39%的利潤(rùn)率存在差距。此次戰(zhàn)略調(diào)整預(yù)計(jì)將持續(xù)至2026年底，屆時(shí)存儲(chǔ)器新產(chǎn)能將逐步釋放，市場(chǎng)供應(yīng)緊張局面有望緩解。三星半導(dǎo)體希望通過(guò)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化和產(chǎn)能調(diào)整，在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中縮小與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的利潤(rùn)差距。